氮化硅常期回收-佰润商贸-南宁氮化硅

气压烧结法（ gps)

近几年来，人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10mpa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也---促进si3n4晶粒生长，而获得密度>; 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于---生产。

氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯si3n4为3119，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，在110mpa氮中为1850℃。si3n4 热膨胀系数低、导热率高。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会。在不太高的温度下，si3n4 具有较高的强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以si3n4 的使用温度一般不超过1300℃。