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如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：

利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。

等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。

氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，济南氮化硅砖，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。---是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由---在1200-1350℃分解产生的。

氮化硅的化学式为si3n4，是一种重要的结构陶瓷材料。氮化硅是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时。而且，氮化硅还能抵抗冷热冲击，回收氮化硅砖价格，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机，节省燃料，而且能够提高热效率。

氮化硅（si3n4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。α和β两相是si3n4非常常出现的型式，大量回收氮化硅砖价格，且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35gpa。