氮化硅制品按工艺可以分为反应烧结制品、热压制品、常压烧结制品、等静压烧结制品和反应重烧制品等。其中,反应烧结是一种常用的生产氮化硅耐火制品的方法。
反应烧结法生产氮化硅制品是将磨细的硅粉(粒度一般小于80μm),用机压或等静压成型,坯体干燥后,在氮气中加热至1350~1400℃,在烧成过程中同时氮化而制得。采用这种生产方法,原料条件和烧成工艺及气氛条件对制品的性能有很大的影响。
制备sic粉末方法较多,如机械粉碎法、激光合成法、等许多领域的应用越来越广泛,需求也越来越多。目前,制备sic粉末方法较多,回收各种废氮化硅材料用途,这个咱们在以前的---内容中也提到了许多工艺,在众多方法当中,机械粉碎法因其制备工艺简单,投资小、成本低、产量达,目前仍然是制备氮化硅微粉的主要方法。我国工业氮化硅仅以磨料用途为主。其中绿氮化硅具有较高的硬度和一定的韧性,多用于磨加工光学玻璃,硬质合金,钛合金以及轴承钢的研磨抛光,回收各种废氮化硅材料报价,高速具的刃磨等;黑氮化硅多用于切割和研磨抗张强度低的材料。氮化硅耐火材料是以氮化硅为原料和主晶相的耐火制品。因为氮化硅耐火制品的原料和主晶相主要是氮化硅,所以制品的许多性质都取决于氮化硅的性质。这类耐火制品中,氮化硅为瘠性料,回收各种废氮化硅材料,一定要由结合剂将其黏结为整体,故结合剂的性质和粘结形式对制品的性质有相当大的影响。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅,有两种方法可供使用:
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同,生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。---是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时,能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅,然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由---在1200-1350℃分解产生的。
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